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FDS6699S +BOM

N-Channel PowerTrench® SyncFET™, 30V, 21A, 3.6mΩ

FDS6699S Allgemeine Beschreibung

The FDS6699S is a cutting-edge solution for upgrading single SO-8 MOSFET and Schottky diode combinations in synchronous DC:DC power supplies. By offering a 30V MOSFET with superior power conversion efficiency, this innovative component boasts a low RDS(ON) and minimal gate charge. Ideal for applications where maximizing performance is critical, the FDS6699S stands out for its ability to deliver optimized power management capabilities

Hauptmerkmale

  • Ultra Low RDS(ON)
  • Excellent Temperature Stability
  • High Power Density Capability
  • 100% Reliability Tested

Anwendung

  • Perfect for notebooks
  • Precision voltage control
  • Efficient point of load switching

Spezifikationen

Source Content uid FDS6699S Pbfree Code Yes
Part Life Cycle Code Obsolete Reach Compliance Code compliant
ECCN Code EAR99 Factory Lead Time 4 Weeks
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE DS Breakdown Voltage-Min 30 V
Drain Current-Max (ID) 21 A Drain-source On Resistance-Max 0.0036 Ω
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR JESD-30 Code R-PDSO-G8
JESD-609 Code e3 Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 1 Number of Terminals 8
Operating Mode ENHANCEMENT MODE Operating Temperature-Max 150 °C
Operating Temperature-Min -55 °C Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type N-CHANNEL Power Dissipation-Max (Abs) 2.5 W
Qualification Status Not Qualified Surface Mount YES
Terminal Finish Matte Tin (Sn) - annealed Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Application SWITCHING Transistor Element Material SILICON

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After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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