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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

FDS6892A +BOM

Mosfet Array 20V 7.5A 900mW Surface Mount 8-SOIC

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

FDS6892A
Datenblatt:

FDS6892A Datenblatt (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

End Of Life
Reach Compliance Code:

compliant
ECCN Code:

EAR99
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an FDS6892A

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

FDS6892A Allgemeine Beschreibung

TRANSISTOR, MOSFET; Transistor Polarity:Dual N Channel; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:900mV; Power Dissipation Pd:2W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Continuous Drain Current Id:7.5A; Current Id Max:7.5A; Drain Source Voltage Vds:20V; Module Configuration:Dual; On Resistance Rds(on):18mohm; Package / Case:SO-8; Power Dissipation Pd:2W; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:20V; Voltage Vgs Max:900mV; Voltage Vgs Rds on Measurement:4.5V

Hauptmerkmale

7.5 A, 20 V
R_DS(ON) = 18 mΩ @ V_GS = 4.5 V
R_DS(ON) = 24 mΩ @ V_GS = 2.5 V
Low gate charge
High performance trench technology for extremely low R_DS(ON)
High power and current handling capability

Anwendung

This product is general usage and suitable for many different applications.

Spezifikationen

Source Content uid	FDS6892A	Pbfree Code	Yes
Part Life Cycle Code	End Of Life	Reach Compliance Code	compliant
ECCN Code	EAR99	Factory Lead Time	4 Weeks
Configuration	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	DS Breakdown Voltage-Min	20 V
Drain Current-Max (ID)	7.5 A	Drain-source On Resistance-Max	0.018 Ω
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 Code	R-PDSO-G8
JESD-609 Code	e3	Moisture Sensitivity Level	1
Number of Elements	2	Number of Terminals	8
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Operating Temperature-Max	150 °C
Peak Reflow Temperature (Cel)	260	Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs)	2 W	Pulsed Drain Current-Max (IDM)	30 A
Qualification Status	Not Qualified	Surface Mount	YES
Terminal Finish	MATTE TIN	Terminal Form	GULL WING
Terminal Position	DUAL	Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30
Transistor Application	SWITCHING	Transistor Element Material	SILICON

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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