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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

FDS6930A +BOM

Compact and reliable switching device ideal for automotive use

Hersteller:

Onsemi
Herstellerteil #:

FDS6930A
Datenblatt:

FDS6930A Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

2 Channel
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an FDS6930A

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FDS6930A Allgemeine Beschreibung

When it comes to low voltage and battery powered applications, the FDS6930A MOSFET reigns supreme. Thanks to its advanced PowerTrench process, this device offers unmatched on-state resistance and exceptional switching performance. Whether you're powering a portable device or a high-tech gadget, the FDS6930A provides the efficiency and reliability you need to succeed. Experience the future of MOSFET technology with the FDS6930A

Hauptmerkmale

Compact design for small spaces.
Silicon-based thermal management.
High-speed switching and sensing.

Anwendung

Perfect for all occasions
Highly versatile product
Great for multiple uses

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	2 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	30 V
Id - Continuous Drain Current	5.5 A	Rds On - Drain-Source Resistance	40 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1 V
Qg - Gate Charge	7 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	2 W
Channel Mode	Enhancement	Tradename	PowerTrench
Series	FDS6930A	Configuration	Dual
Fall Time	13 ns	Forward Transconductance - Min	12 S
Height	1.75 mm	Length	4.9 mm
Product Type	MOSFET	Rise Time	8 ns
Factory Pack Quantity	2500	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	2 N-Channel	Type	MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time	17 ns	Typical Turn-On Delay Time	5 ns
Width	3.9 mm	Part # Aliases	FDS6930A_NL
Unit Weight	0.006596 oz

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