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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

FDS7788 +BOM

Small signal N-channel MOSFET with 18000mA and 30V

Hersteller:

Onsemi
Herstellerteil #:

FDS7788
Datenblatt:

FDS7788 Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelle:

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FDS7788 Allgemeine Beschreibung

N-Channel 30 V 18A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Hauptmerkmale

18 A, 30 V. RDS(ON) = 4.0 mΩ @ VGS = 10 V RDS(ON) = 5.0 mΩ @ VGS = 4.5 V
Low gate charge
Fast switching speed
High power and current handling capability
High performance trench technology for extremely low RDS(ON)

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	30 V
Id - Continuous Drain Current	18 A	Rds On - Drain-Source Resistance	3 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	2.5 W
Channel Mode	Enhancement	Configuration	Single
Fall Time	36 ns	Forward Transconductance - Min	112 S
Height	1.75 mm	Length	4.9 mm
Product Type	MOSFET	Rise Time	13 ns
Factory Pack Quantity	2500	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 N-Channel	Type	MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time	62 ns	Typical Turn-On Delay Time	15 ns
Width	3.9 mm	Part # Aliases	FDS7788_NL
Unit Weight	0.002998 oz

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