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FDS8447 +BOM

N-Channel PowerTrench® MOSFET 40V, 12.8A, 10.5mΩ

FDS8447 Allgemeine Beschreibung

MOSFET, N, SMD, SO-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:12.8A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):10.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.8V; Power Dissipation Pd:2.5mW; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:12.8A; No. of Transistors:1; Package / Case:SOIC; Power Dissipation Pd:2.5mW; Pulse Current Idm:50A; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:40V; Voltage Vgs Max:1.8V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

Hauptmerkmale

  • Max rDS(on) = 10.5 mΩ at VGS = 10 V, ID = 12.8 A
  • Max rDS(on) = 12.3 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 11.4 A
  • Low gate charge
  • High performance trench technology for extremely low rDS(on)
  • High power and current handling capability
  • RoHS compliant

Anwendung

  • This product is general usage and suitable for many different applications.
  • DC-DC Conversion

Spezifikationen

Source Content uid FDS8447 Pbfree Code Yes
Part Life Cycle Code Active Reach Compliance Code compliant
ECCN Code EAR99 Factory Lead Time 33 Weeks
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code R-PDSO-G8 Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 1 Number of Terminals 8
Operating Mode ENHANCEMENT MODE Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Polarity/Channel Type N-CHANNEL Surface Mount YES
Terminal Finish MATTE TIN Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 30
Transistor Element Material SILICON

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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