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Siehe Technische Spezifikationen

FDT434P +BOM

Si-based Power MOSFET with P-Channel Configuration, 6A Current, 20V Voltage, and 0.05ohm Resistance, Packaged in SOT-223 with 4 Pins

Hersteller:

Onsemi
Herstellerteil #:

FDT434P
Datenblatt:

FDT434P Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

P-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelle:

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FDT434P Allgemeine Beschreibung

Meet the FDT434P MOSFET transistor, designed for high performance and efficiency. With P Channel polarity, it offers a drain-source voltage of -20V and a continuous drain current of 6A. The on resistance is specified at 0.05ohm, tested at a voltage of -4.5V. Packaged in an SOT-223 case, this transistor is easy to handle and install. It is also RoHS compliant, aligning with environmental regulations and standards

Hauptmerkmale

-25V, 1A, -6mΩ
R_DS(on) = 0.020 Ω @ V_GS = -4.5 V
High thermal stability.
-28V, 2A, R_DS(off) = 10Ω @ V_GS = 0.5 V
Low voltage operation.
R_DS(on) = 0.015 Ω @ V_GS = -2.5 V

Anwendung

For versatile uses
Efficient power control
Great for various tasks

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	P-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	20 V
Id - Continuous Drain Current	6 A	Rds On - Drain-Source Resistance	50 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 8 V, + 8 V	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	3 W
Channel Mode	Enhancement	Tradename	PowerTrench
Series	FDT434P	Configuration	Single
Fall Time	30 ns	Forward Transconductance - Min	6.5 S
Height	1.8 mm	Length	6.5 mm
Product Type	MOSFET	Rise Time	15 ns
Factory Pack Quantity	4000	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 P-Channel	Type	MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time	45 ns	Typical Turn-On Delay Time	8 ns
Width	3.5 mm	Part # Aliases	FDT434P_NL
Unit Weight	0.003951 oz

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