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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

FDW2520C +BOM

FDW2520C - PowerTrench MOSFET

Hersteller:

Onsemi
Herstellerteil #:

FDW2520C
Datenblatt:

FDW2520C Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel, P-Channel
Number Of Channels:

2 Channel
EDA/CAD Modelle:

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FDW2520C Allgemeine Beschreibung

Mosfet Array 20V 6A, 4.4A 600mW Surface Mount 8-TSSOP

Hauptmerkmale

Q1: N-Channel
6 A, 20 V. RDS(ON) = 18 mΩ @ VGS = 4.5 V RDS(ON) = 28 mΩ @ VGS = 2.5 V
Q2: P-Channel
–4.4A, 20 V. RDS(ON) = 35 mΩ @ VGS = –4.5 V RDS(ON) = 57 mΩ @ VGS = –2.5 V
High performance trench technology for extremely low RDS(ON)
Low profile TSSOP-8 package

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	N-Channel, P-Channel
Number of Channels	2 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	20 V
Id - Continuous Drain Current	6 A, 4.4 A	Rds On - Drain-Source Resistance	18 mOhms, 35 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 12 V, + 12 V	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	1 W
Channel Mode	Enhancement	Configuration	Dual
Fall Time	19 ns, 37 ns	Forward Transconductance - Min	30 S, 17 S
Height	1 mm	Length	4.4 mm
Product Type	MOSFET	Rise Time	11 ns, 19 ns
Factory Pack Quantity	2500	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 N-Channel, 1 P-Channel	Type	MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time	32 ns, 60 ns	Typical Turn-On Delay Time	6 ns, 12 ns
Width	3 mm	Unit Weight	0.005573 oz

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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