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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

FF1200R12KE3 +BOM

N-channel insulated gate bipolar transistor with high current and voltage rating

Hersteller:

Infineon
Herstellerteil #:

FF1200R12KE3
Datenblatt:

FF1200R12KE3 Datenblatt (PDF)
Configuration:

Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

1.2 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage:

1.7 V
Continuous Collector Current At 25 C:

1.2 kA

FF1200R12KE3 Allgemeine Beschreibung

For industrial applications requiring high power and reliability, the FF1200R12KE3 from Infineon Technologies is the ideal choice. This insulated-gate bipolar transistor (IGBT) module is designed to excel in motor drives, power supplies, and renewable energy systems. With a voltage and current rating of 1200 volts and 1200 amps, this module is well-suited for high-power applications. Its low thermal resistance and high-frequency operation make it efficient and reliable under demanding operating conditions. The standard package size and screw terminals make for easy installation and connection, while the temperature and overcurrent protection features ensure safe operation and prevent damage to the module. In summary, the FF1200R12KE3 offers exceptional performance and safety features, making it a standout option for industrial power needs

Spezifikationen

Product Category	IGBT Modules	Configuration	Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	1.2 kV	Collector-Emitter Saturation Voltage	1.7 V
Continuous Collector Current at 25 C	1.2 kA	Gate-Emitter Leakage Current	400 nA
Pd - Power Dissipation	5 kW	Minimum Operating Temperature	- 40 C
Maximum Operating Temperature	+ 125 C	Height	38 mm
Length	140 mm	Maximum Gate Emitter Voltage	20 V
Mounting Style	Chassis Mount	Product Type	IGBT Modules
Series	IGBT3 - E3	Factory Pack Quantity	2
Subcategory	IGBTs	Width	130 mm
Part # Aliases	SP000100572 FF1200R12KE3NOSA1

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