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Siehe Technische Spezifikationen

FGB3040CS +BOM

IGBT, 430V, 19A, 1.6V, 300mJ, D2PAK, Current Sensing EcoSPARK® I, N-Channel Ignition

Hersteller:

ON Semiconductor, LLC
Herstellerteil #:

FGB3040CS
Datenblatt:

FGB3040CS Datenblatt (PDF)
Case Outline:

418AX
MSL Temp (°C):

260
Container Type:

REEL
Technology:

Si
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an FGB3040CS

FGB3040CS Allgemeine Beschreibung

The FGB3040CS is an exceptional Schottky barrier rectifier diode designed and manufactured by Fairchild Semiconductor. With its maximum repetitive peak reverse voltage of 40V and a forward current rating of 30A, this diode is capable of delivering reliable and efficient performance in a wide range of electronic applications. Housed in a TO-263 (D2PAK) surface-mount package, the FGB3040CS offers high power dissipation capability and low thermal resistance, making it a versatile choice for demanding circuit designs

Hauptmerkmale

SCIS Energy = 300mJ at T_J = 25°C
Logic Level Gate Drive
Qualified to AEC Q101
RoHS Compliant

Anwendung

Security features
Efficient performance
Intuitive design

Spezifikationen

Status	Last Shipments	Case Outline	418AX
MSL Temp (°C)	260	Container Type	REEL
Product Category	IGBT Transistors	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	430 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	1.3 V
Maximum Gate Emitter Voltage	- 10 V, + 10 V	Continuous Collector Current at 25 C	21 A
Pd - Power Dissipation	150 W	Minimum Operating Temperature	- 40 C
Maximum Operating Temperature	+ 175 C	Series	FGB3040CS
Qualification	AEC-Q101	Operating Temperature Range	- 40 C to + 175 C
Product Type	IGBT Transistors	Factory Pack Quantity	800
Subcategory	IGBTs	Unit Weight	0.046279 oz

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