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Siehe Technische Spezifikationen

FGH20N60SFDTU +BOM

IGBT, 650V, 20A, 2.2V, TO-247High Speed Field Stop

Hersteller:

ON Semiconductor, LLC
Herstellerteil #:

FGH20N60SFDTU
Datenblatt:

FGH20N60SFDTU Datenblatt (PDF)
Case Outline:

340CK
MSL Temp (°C):

0
Container Type:

TUBE
IGBT Type:

Field Stop
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an FGH20N60SFDTU

FGH20N60SFDTU Allgemeine Beschreibung

The FGH20N60SFDTU from ON Semiconductor represents a significant advancement in power semiconductor technology. Featuring field stop IGBT technology, this product delivers unmatched performance in minimizing conduction and switching losses. Designed for use in solar inverters, UPS systems, welders, and PFC applications, this IGBT provides a reliable and efficient solution for industries looking to enhance their power systems. Trust ON Semiconductor to deliver cutting-edge solutions for your power electronics needs

Hauptmerkmale

High current capability
Low saturation voltage: V_CE(sat) =2.2V @ I_C = 20A
High input impedance
Fast switching: E_OFF =8uJ/A
RoHS compliant

Anwendung

Data center power backup
HVAC system power supply
Telecommunications equipment

Spezifikationen

Status	Active	Case Outline	340CK
MSL Temp (°C)	0	Container Type	TUBE
IGBT Type	Field Stop	Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600 V
Current - Collector (Ic) (Max)	40 A	Current - Collector Pulsed (Icm)	60 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.8V @ 15V, 20A	Power - Max	165 W
Switching Energy	370µJ (on), 160µJ (off)	Input Type	Standard
Gate Charge	65 nC	Td (on/off) @ 25°C	13ns/90ns
Test Condition	400V, 20A, 10Ohm, 15V	Reverse Recovery Time (trr)	34 ns
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Through Hole
Base Product Number	FGH20

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Bewertungen und Rezensionen

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