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Siehe Technische Spezifikationen

FJE3303H1TU +BOM

Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 1.5 A 4MHz 20 W Through Hole TO-126-3

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

FJE3303H1TU
Datenblatt:

FJE3303H1TU Datenblatt (PDF)
REACH:

Details
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

NPN
Configuration:

Single
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an FJE3303H1TU

FJE3303H1TU Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 1.5 A 4MHz 20 W Through Hole TO-126-3

Hauptmerkmale

High Voltage Capability
High Speed Switching
Suitable for Electronic Ballast and Switching Regulator

Anwendung

This product is general usage and suitable for many different applications.

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	REACH	Details
Mounting Style	Through Hole	Transistor Polarity	NPN
Configuration	Single	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	400 V
Collector- Base Voltage VCBO	700 V	Emitter- Base Voltage VEBO	9 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	3 V	Maximum DC Collector Current	1.5 A
Pd - Power Dissipation	20 W	Gain Bandwidth Product fT	4 MHz
Minimum Operating Temperature	-	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Series	FJE3303	DC Collector/Base Gain hfe Min	8
Height	11 mm	Length	8 mm
Product Type	BJTs - Bipolar Transistors	Factory Pack Quantity	1920
Subcategory	Transistors	Technology	Si
Width	3.25 mm	Part # Aliases	FJE3303H1TU_NL
Unit Weight	0.026843 oz

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