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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

FJL4315OTU +BOM

NPN Epitaxial Silicon Transistor

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

FJL4315OTU
Datenblatt:

FJL4315OTU Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

NPN
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

250 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an FJL4315OTU

Hauptmerkmale

Fast Charging Capability
High-Definition Display Rendering
Smart Energy Harvesting

Anwendung

An essential tool for all.
Convenient and practical choice.
Suitable for multiple uses.

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	Through Hole
Transistor Polarity	NPN	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	250 V	Collector- Base Voltage VCBO	250 V
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	400 mV
Maximum DC Collector Current	17 A	Pd - Power Dissipation	150 W
Gain Bandwidth Product fT	30 MHz	Minimum Operating Temperature	- 50 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Series	FJL4315
Continuous Collector Current	15 A	DC Collector/Base Gain hfe Min	80
DC Current Gain hFE Max	160	Height	26 mm
Length	20 mm	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity	25	Subcategory	Transistors
Technology	Si	Width	5 mm
Part # Aliases	FJL4315OTU_NL	Unit Weight	0.238311 oz

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