Diese Website verwendet Cookies. Durch die Nutzung dieser Website stimmen Sie der Verwendung von Cookies zu. Weitere Informationen finden Sie in unseren Datenschutzrichtlinie.

Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

FJP3305 +BOM

Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 4 A 4MHz 75 W Through Hole TO-220-3

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

FJP3305
Datenblatt:

FJP3305 Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

NPN
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

400 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an FJP3305

FJP3305 Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 4 A 4MHz 75 W Through Hole TO-220-3

Hauptmerkmale

High Voltage Capability
High Speed Switching
Suitable for Electronic Ballast and Switching Regulator

Anwendung

This product is general usage and suitable for many different applications.

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	Through Hole
Transistor Polarity	NPN	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	400 V	Collector- Base Voltage VCBO	700 V
Emitter- Base Voltage VEBO	9 V	Maximum DC Collector Current	4 A
Pd - Power Dissipation	75 W	Gain Bandwidth Product fT	4 MHz
Minimum Operating Temperature	- 65 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
DC Collector/Base Gain hfe Min	19	Height	9.4 mm
Length	10.1 mm	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity	1200	Subcategory	Transistors
Technology	Si	Width	4.7 mm
Part # Aliases	FJP3305_NL	Unit Weight	0.080072 oz

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

Zahlung

Bezahlverfahren

TT/Überweisung

Paypal

Western Union

Geldgramm

Für alternative Zahlungskanäle kontaktieren Sie uns bitte unter:

[email protected]

Versand & Verpackung

Versandart

Fedex

UPS

DHL

NTN

Verpackung

AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..