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Siehe Technische Spezifikationen

FKP280A +BOM

Metal-oxide Semiconductor FET, Power Field-Effect Transistor, N-Channel, TO-3PF, FM100, 3 PIN

Hersteller:

Sanken Electric USA Inc.
Herstellerteil #:

FKP280A
Datenblatt:

FKP280A Datenblatt (PDF)
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

280 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:

40A (Ta)
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an FKP280A

FKP280A Allgemeine Beschreibung

N-Channel 280 V 40A (Ta) 85W (Tc) Through Hole TO-3PF

Hauptmerkmale

Low on-resistance
Low input capacitance
Avalanche energy capability guaranteed

Spezifikationen

FET Type	N-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	280 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	40A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	53mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 1mA	Vgs (Max)	±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3800 pF @ 25 V	Power Dissipation (Max)	85W (Tc)
Operating Temperature	150°C (TJ)	Mounting Type	Through Hole
Base Product Number	FKP280

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