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Siehe Technische Spezifikationen

FKV550N +BOM

Power Field-Effect Transistor, N-Channel Silicon, TO-220AB, 50A I(D), 50V, 0.015ohm

Hersteller:

Sanken Electric Co., Ltd
Herstellerteil #:

FKV550N
Datenblatt:

FKV550N Datenblatt (PDF)
ECCN (US):

EAR99
Automotive:

No
PPAP:

No
Configuration:

Single
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an FKV550N

FKV550N Allgemeine Beschreibung

N-Channel 50 V 50A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220F

Hauptmerkmale

Efficient power management
Compact design for space saving
Suitable for industrial control

Anwendung

Cutting-edge aerospace tech
Innovative medical devices
Efficient telecommunications

Spezifikationen

ECCN (US)	EAR99	Part Status	Active
Automotive	No	PPAP	No
Category	Power MOSFET	Configuration	Single
Channel Type	N	Number of Elements per Chip	1
Maximum Drain Source Voltage (V)	50	Maximum Gate Source Voltage (V)	±20
Maximum Gate Threshold Voltage (V)	4.2	Maximum Continuous Drain Current (A)	50
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)	10000	Maximum IDSS (uA)	100
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)	15@10V	Typical Input Capacitance @ Vds (pF)	2000@10V
Maximum Power Dissipation (mW)	35000	Maximum Operating Temperature (°C)	150
Mounting	Through Hole	PCB changed	3
Tab	Tab	Pin Count	3
Lead Shape	Through Hole

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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