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Siehe Technische Spezifikationen

FKV550T +BOM

Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 50V, 0.013ohm

Hersteller:

Sanken Electric USA Inc.
Herstellerteil #:

FKV550T
Datenblatt:

FKV550T Datenblatt (PDF)
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

50 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:

50A (Ta)
EDA/CAD Modelle:

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FKV550T Allgemeine Beschreibung

N-Channel 50 V 50A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220F

Spezifikationen

FET Type	N-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	50 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	50A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	13mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2700 pF @ 10 V	Power Dissipation (Max)	35W (Tc)
Operating Temperature	150°C (TJ)	Mounting Type	Through Hole
Base Product Number	FKV550

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