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Siehe Technische Spezifikationen

FQA10N80C +BOM

High-voltage N-channel MOSFET with advanced QFET technology

Hersteller:

Fairchild Semiconductor
Herstellerteil #:

FQA10N80C
Datenblatt:

FQA10N80C Datenblatt (PDF)
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

800 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:

10A (Tc)
EDA/CAD Modelle:

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FQA10N80C Allgemeine Beschreibung

N-Channel 800 V 10A (Tc) 240W (Tc) Through Hole TO-3P

Hauptmerkmale

10A, 800V, RDS(on) = 1.1Ω @VGS = 10 V
Low gate charge ( typical 44 nC)
Low Crss ( typical 15pF)
Fast switching
100% avalanche tested
Improved dv/dt capability
RoHS compliant

Spezifikationen

FET Type	N-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	800 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	10A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.1Ohm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	58 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±30V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2800 pF @ 25 V
FET Feature	-	Power Dissipation (Max)	240W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Through Hole

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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