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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

FQU1N60CTU +BOM

A 3-Pin IPAK N-channel MOSFET with a maximum voltage of 600V and 1A current handling capability

Hersteller:

Onsemi
Herstellerteil #:

FQU1N60CTU
Datenblatt:

FQU1N60CTU Datenblatt (PDF)
Compliance:

PbAHP
Case Outline:

369AR
MSL Type:

NA
MSL Temp (°C):

0
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an FQU1N60CTU

FQU1N60CTU Allgemeine Beschreibung

By incorporating these advanced devices into their designs, engineers can create more efficient, compact, and cost-effective systems that meet the demands of modern applications. With its exceptional performance characteristics and broad range of potential applications, this N-Channel enhancement mode power MOSFET is an excellent addition to any engineer's toolkit

Hauptmerkmale

Advanced Thermal Management
Efficient Heat Dissipation
Reliable Performance

Anwendung

Illuminate your space
Brighten up your room
Add some ambiance

Spezifikationen

Status	Last Shipments	Compliance	PbAHP
Case Outline	369AR	MSL Type	NA
MSL Temp (°C)	0	Container Type	TUBE
Container Qty.	5040	ON Target	N
Channel Polarity	N-Channel	Configuration	Single
V(BR)DSS Min (V)	600	VGS Max (V)	±30
VGS(th) Max (V)	4	ID Max (A)	1
PD Max (W)	28	RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)	11500
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)	6	Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)	4.8
Ciss Typ (pF)	130	Pricing ($/Unit)	Price N/A

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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