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Siehe Technische Spezifikationen

FQPF10N20C +BOM

N-Channel 200 V 9.5A (Tc) 38W (Tc) Through Hole TO-220F-3

Hersteller:

ON Semiconductor, LLC
Herstellerteil #:

FQPF10N20C
Datenblatt:

FQPF10N20C Datenblatt (PDF)
Case Outline:

221AT
MSL Temp (°C):

0
Container Type:

TUBE
Technology:

Si
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an FQPF10N20C

FQPF10N20C Allgemeine Beschreibung

Engineered utilizing ON Semiconductor's proprietary planar stripe and DMOS technology, the FQPF10N20C N-channel enhancement mode power MOSFET offers unparalleled performance in power management applications. With reduced on-state resistance and superior switching performance, the FQPF10N20C is the ideal choice for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts. Its high avalanche energy strength ensures reliability in demanding environments, making it a key component for designers and engineers seeking to optimize the efficiency and performance of their power management systems

Hauptmerkmale

9.5A, 200V, R_DS(on) = 360mΩ(Max.) @V_GS = 10 V, I_D = 4.75A
Low gate charge ( Typ. 20nC)
Low C_rss ( Typ. 40.5pF)
100% avalanche tested

Anwendung

Television screen
Showcase display
GPS navigation

Spezifikationen

Status	Last Shipments	Case Outline	221AT
MSL Temp (°C)	0	Container Type	TUBE
Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	200 V
Id - Continuous Drain Current	9.5 A	Rds On - Drain-Source Resistance	360 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 30 V, + 30 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	2 V
Qg - Gate Charge	26 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	38 W
Channel Mode	Enhancement	Tradename	QFET
Series	FQPF10N20C	Configuration	Single
Fall Time	72 ns	Forward Transconductance - Min	5.5 S
Height	16.07 mm	Length	10.36 mm
Product Type	MOSFET	Rise Time	92 ns
Factory Pack Quantity	1000	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 N-Channel	Type	MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time	70 ns	Typical Turn-On Delay Time	11 ns
Width	4.9 mm	Part # Aliases	FQPF10N20C_NL
Unit Weight	0.068784 oz

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