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MOSFET 200V N-Channel Advance Q-FET
TO-3PHersteller:
ON Semiconductor
Herstellerteil #:
FQA19N20C
Datenblatt:
Categories:
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Series:
QFET?
Packaging:
Tube
:
Through Hole
EDA/CAD Modelle:
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Fairchild Semiconductor's FQA19N20C MOSFET offers high performance and reliability for power management circuits. This N-channel MOSFET boasts a maximum drain-source voltage of 200 volts (V) and a continuous drain current of 19 amperes (A). With various package type options available, such as TO-220 and TO-247, this MOSFET is suitable for power supplies, motor control circuits, lighting applications, and other power management systems, thanks to its efficient switching capabilities and low on-resistance
Product Category | FETs - Single | Categories | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Series | QFET? | Packaging | Tube |
Through Hole | Part-Status | MOSFET (Metal Oxide) | |
FET-Type | 10V | Technology | ±30V |
Drain-to-Source-Voltage-Vdss | 180W (Tc) | Current-Continuous-Drain-Id-25°C | 170 mOhm @ 10.9A, 10V |
Drive-Voltage-Max-Rds-On-Min-Rds-On | TO-3PN | Vgs-th-Max-Id | TO-3P-3, SC-65-3 |
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Bezahlverfahren
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Qualitätsgarantie
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Menge. | Einzelpreis | Ext. Preis |
---|---|---|
1+ | - | - |
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