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Siehe Technische Spezifikationen

FQA22P10 +BOM

Rail-Mountable P-Channel MOSFET, 100V Voltage Rating, 24A Current Capacity

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

FQA22P10
Datenblatt:

FQA22P10 Datenblatt (PDF)
Series:

QFET®
FET Type:

P-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

100 V
EDA/CAD Modelle:

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FQA22P10 Allgemeine Beschreibung

P-Channel 100 V 24A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-3PN

Hauptmerkmale

-24A, -100V, RDS(on) = 0.125Ω @VGS = -10 V
Low gate charge ( typical 40 nC)
Low Crss ( typical 160 pF)
Fast switching
100% avalanche tested
Improved dv/dt capability
175°C maximum junction temperature rating

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs	Series	QFET®
FET Type	P-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	24A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	125mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	50 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±30V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1500 pF @ 25 V
FET Feature	-	Power Dissipation (Max)	150W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	Mounting Type	Through Hole
Base Product Number	FQA2

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