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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

FQA85N06 +BOM

TO-3P Through Hole package for easy mounting on PCBs

Hersteller:

Onsemi
Herstellerteil #:

FQA85N06
Datenblatt:

FQA85N06 Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelle:

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FQA85N06 Allgemeine Beschreibung

N-Channel 60 V 100A (Tc) 214W (Tc) Through Hole TO-3P

Hauptmerkmale

100A, 60V, RDS(on) = 0.010Ω @VGS = 10 V
Low gate charge ( typical 86 nC)
Low Crss ( typical 165 pF)
Fast switching
100% avalanche tested
Improved dv/dt capability
175°C maximum junction temperature rating

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	60 V
Id - Continuous Drain Current	100 A	Rds On - Drain-Source Resistance	10 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 25 V, + 25 V	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 175 C	Pd - Power Dissipation	214 W
Channel Mode	Enhancement	Configuration	Single
Fall Time	170 ns	Forward Transconductance - Min	57 S
Height	20.1 mm	Length	16.2 mm
Product Type	MOSFET	Rise Time	230 ns
Factory Pack Quantity	30	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 N-Channel	Type	MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time	175 ns	Typical Turn-On Delay Time	40 ns
Width	5 mm	Part # Aliases	FQA85N06_NL
Unit Weight	0.162260 oz

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