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FQD7N20TM +BOM
DPAK-packaged N-channel MOSFET designed for switching applications, featuring a maximum voltage rating of 200V and a current handling capability of 5
TO-252-3-
Hersteller:
-
Herstellerteil #:
FQD7N20TM
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Datenblatt:
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FET Type:
N-Channel
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Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
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Drain To Source Voltage (Vdss):
200 V
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Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
5.3A (Tc)
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EDA/CAD Modelle:
Verfügbarkeit: 5875 Stck
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FQD7N20TM Allgemeine Beschreibung
N-Channel 200 V 5.3A (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Hauptmerkmale
- 5.3A, 200V, RDS(on) = 0.69Ω @VGS = 10 V
- Low gate charge ( typical 8.0 nC)
- Low Crss ( typical 9.0 pF)
- Fast switching
- 100% avalanche tested
- Improved dv/dt capability
Spezifikationen
FET Type | N-Channel | Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.3A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 690mOhm @ 2.65A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 10 V |
Vgs (Max) | ±30V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 400 pF @ 25 V |
FET Feature | - | Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 45W (Tc) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | Mounting Type | Surface Mount |
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In Stock: 5.875
Minimum Order: 1
Menge. | Einzelpreis | Ext. Preis |
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1+ | - | - |
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