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FQP20N06L +BOM

Power MOSFET, N-Channel, Logic Level, QFET®, 60 V, 21 A, 55 mΩ, TO-220

FQP20N06L Allgemeine Beschreibung

Featuring ON Semiconductor's proprietary planar stripe and DMOS technology, the FQP20N06L is an N-Channel enhancement mode power MOSFET that is designed to minimize on-state resistance and offer superior switching performance and high avalanche energy strength. These attributes make it an excellent choice for various applications such as switched mode power supplies, audio amplifiers, DC motor control, and variable switching power applications

Hauptmerkmale

  • 21A, 60V, RDS(on) = 55mΩ(Max.) @VGS = 10 V, ID = 10.5A
  • Low gate charge ( Typ. 9.5nC)
  • Low Crss ( Typ. 35pF)
  • 100% avalanche tested
  • 175°C maximum junction temperature rating

Anwendung

  • Dynamic Surround Sound
  • Wireless Connectivity
  • Easy Setup Process

Spezifikationen

Source Content uid FQP20N06L Pbfree Code Yes
Part Life Cycle Code End Of Life Reach Compliance Code not_compliant
ECCN Code EAR99 Factory Lead Time 31 Weeks
Avalanche Energy Rating (Eas) 170 mJ Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 60 V Drain Current-Max (ID) 21 A
Drain-source On Resistance-Max 0.07 Ω FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code TO-220AB JESD-30 Code R-PSFM-T3
JESD-609 Code e3 Number of Elements 1
Number of Terminals 3 Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 175 °C Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 53 W Pulsed Drain Current-Max (IDM) 84 A
Qualification Status Not Qualified Surface Mount NO
Terminal Finish MATTE TIN Terminal Form THROUGH-HOLE
Terminal Position SINGLE Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON

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