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Siehe Technische Spezifikationen

FQP2N60C +BOM

ON Semiconductor's FQP2N60C is an N-Channel MOSFET housed in a QFET package with a 3-Pin TO-220AB setup

Hersteller:

Fairchild Semiconductor
Herstellerteil #:

FQP2N60C
Datenblatt:

FQP2N60C Datenblatt (PDF)
Paket/Koffer:

TO-220-3
Produktart:

Single FETs, MOSFETs
Lebenszyklus:

Last Shipments
EDA/CAD Modelle:

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FQP2N60C Allgemeine Beschreibung

The FQP2N60C is an N-Channel power MOSFET designed using ON Semiconductor's cutting-edge planar stripe and DMOS technology. With a focus on minimizing on-state resistance and maximizing switching efficiency, this MOSFET delivers exceptional performance and robust avalanche energy capability. Ideal for applications such as switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts, the FQP2N60C offers reliable and high-performance solutions for various power management needs

Hauptmerkmale

Fast response time
Small package size
Wide operating temperature range
Low power consumption

Anwendung

Lighting

Spezifikationen

FET Type	-	Technology	-
Drain to Source Voltage (Vdss)	-	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Vgs(th) (Max) @ Id	-	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (Max)	-	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	-
FET Feature	-	Power Dissipation (Max)	-
Operating Temperature	-	Mounting Type	-

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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