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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

FQP4N90C +BOM

TO-220 Three-Pin N-Channel MOSFET with 900V Voltage Rating and 4A Capacity

Hersteller:

Onsemi
Herstellerteil #:

FQP4N90C
Datenblatt:

FQP4N90C Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelle:

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FQP4N90C Allgemeine Beschreibung

QFET 900 V N-CHANNEL MOSFET Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 900V, 4.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

Hauptmerkmale

High surge capability
Low leakage current
Silicon carbide construction

Anwendung

Brighten up your space
Illuminate with style
Add some ambiance

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	900 V
Id - Continuous Drain Current	4 A	Rds On - Drain-Source Resistance	4.2 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 30 V, + 30 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	3 V
Qg - Gate Charge	22 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	140 W
Channel Mode	Enhancement	Tradename	QFET
Series	FQP4N90C	Configuration	Single
Fall Time	35 ns	Forward Transconductance - Min	5 S
Height	16.3 mm	Length	10.67 mm
Product Type	MOSFET	Rise Time	50 ns
Factory Pack Quantity	1000	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 N-Channel	Type	MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time	40 ns	Typical Turn-On Delay Time	25 ns
Width	4.7 mm	Unit Weight	0.068784 oz

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Bewertungen und Rezensionen

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