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Siehe Technische Spezifikationen

FQPF33N10L +BOM

High-power transistor solution for demanding applications (63)

Hersteller:

Onsemi
Herstellerteil #:

FQPF33N10L
Datenblatt:

FQPF33N10L Datenblatt (PDF)
REACH:

Details
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

N-Channel
EDA/CAD Modelle:

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Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

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FQPF33N10L Allgemeine Beschreibung

With ON Semiconductor's proprietary planar stripe and DMOS technology, the FQPF33N10L MOSFET delivers outstanding performance and reliability. Its advanced design ensures efficient power management and precise control, making it an ideal choice for a wide range of applications. From industrial machinery to consumer electronics, this MOSFET is versatile enough to handle any task with ease

Hauptmerkmale

Real-Time Analytics and Visualization
Predictive Maintenance Capabilities
Improved Network Integration
Fully Scalable Architecture
Increased Cybersecurity Measures
Customizable User Experience

Anwendung

Desktop Computer
Monitor
Keyboard

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	REACH	Details
Technology	Si	Mounting Style	Through Hole
Transistor Polarity	N-Channel	Number of Channels	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	100 V	Id - Continuous Drain Current	18 A
Rds On - Drain-Source Resistance	52 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1 V	Qg - Gate Charge	40 nC
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 175 C
Pd - Power Dissipation	41 W	Channel Mode	Enhancement
Tradename	QFET	Series	FQPF33N10L
Configuration	Single	Fall Time	120 ns
Forward Transconductance - Min	22 S	Height	16.07 mm
Length	10.36 mm	Product Type	MOSFET
Rise Time	470 ns	Factory Pack Quantity	1000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Type	MOSFET	Typical Turn-Off Delay Time	70 ns
Typical Turn-On Delay Time	17 ns	Width	4.9 mm
Unit Weight	0.068784 oz

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