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High-power switching device for efficient DC-DC conversio
TO-220F-3Hersteller:
Fairchild Semiconductor
Herstellerteil #:
FQPF4N60
Datenblatt:
Pbfree Code:
Yes
Part Life Cycle Code:
Active
Pin Count:
3
Avalanche Energy Rating (Eas):
260 mJ
EDA/CAD Modelle:
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Product FQPF4N60 is a high-performance N-channel MOSFET suitable for demanding applications requiring high power capabilities. With a VDSS of 600V and a continuous drain current of 4A, this MOSFET offers reliable performance in various scenarios. Its low gate charge enables quick switching speeds and reduces power losses, enhancing overall efficiency. The low on-state resistance of 1.5 ohms helps minimize power dissipation, making it an excellent choice for power-sensitive applications
Pbfree Code | Yes | Part Life Cycle Code | Active |
Pin Count | 3 | Reach Compliance Code | |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 260 mJ | Case Connection | ISOLATED |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | DS Breakdown Voltage-Min | 600 V |
Drain Current-Max (ID) | 2.6 A | Drain-source On Resistance-Max | 2.2 Ω |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 Code | R-PSFM-T3 |
JESD-609 Code | e3 | Moisture Sensitivity Level | NOT APPLICABLE |
Number of Elements | 1 | Number of Terminals | 3 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE | Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT APPLICABLE |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL | Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 10.4 A |
Qualification Status | COMMERCIAL | Surface Mount | NO |
Terminal Finish | MATTE TIN | Terminal Form | THROUGH-HOLE |
Terminal Position | SINGLE | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOT APPLICABLE |
Transistor Application | SWITCHING | Transistor Element Material | SILICON |
After-Sales- und Abwicklungsbezogen
Bezahlverfahren
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[email protected]Versandart
AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..
365-Tage-Produkt
Qualitätsgarantie
Wir versprechen, 365 Tage Qualitätssicherung für alle unsere Produkte zu bieten.
Menge. | Einzelpreis | Ext. Preis |
---|---|---|
1+ | $0,709 | $0,71 |
200+ | $0,275 | $55,00 |
500+ | $0,264 | $132,00 |
1000+ | $0,260 | $260,00 |
Die unten angegebenen Preise dienen nur als Referenz.
Alle Stücklisten (BOM) können per E-Mail gesendet werden an
[email protected],
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12 Std.
2N2222
Stmicroelectronics
1000+ $0,587
BC547
Onsemi
NPN Epitaxial Silicon Transistor
ULN2003
Onsemi
Versatile device for driving heavy loads and motor
IRF3205
Infineon
TO-220AB Tube Power Transistor with N-Channel Silicon
TAN15
Microchip
The TAN is a robust NPN transistor designed for high-frequency applications, capable of operating at up to V and continuous curren