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Siehe Technische Spezifikationen

FQU17P06TU +BOM

Power MOSFET, P-Channel, QFET®, -60 V, -12 A, 135 mΩ, IPAK

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

FQU17P06TU
Datenblatt:

FQU17P06TU Datenblatt (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

End Of Life
Reach Compliance Code:

not_compliant
ECCN Code:

EAR99
EDA/CAD Modelle:

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Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

FQU17P06TU Allgemeine Beschreibung

Designed using ON Semiconductor's proprietary planar stripe and DMOS technology, the FQU17P06TU P-Channel enhancement mode power MOSFET is engineered to minimize on-state resistance and provide superior switching performance. Its high avalanche energy strength makes it an ideal choice for applications including switched mode power supplies, audio amplifiers, DC motor control, and variable switching power

Hauptmerkmale

-12A, -60V, R_DS(on) = 135mΩ(Max.) @V_GS = -10 V, I_D = -6A
Low Gate Charge ( Typ. 21nC)
Low C_rss ( Typ. 80pF)
100% Avalanche Tested

Anwendung

Portable chargers
Virtual reality headsets

Spezifikationen

Source Content uid	FQU17P06TU	Pbfree Code	Yes
Part Life Cycle Code	End Of Life	Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN Code	EAR99	Factory Lead Time	31 Weeks, 4 Days
Avalanche Energy Rating (Eas)	300 mJ	Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min	60 V	Drain Current-Max (ID)	12 A
Drain-source On Resistance-Max	0.135 Ω	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code	TO-251	JESD-30 Code	R-PSIP-T3
JESD-609 Code	e3	Number of Elements	1
Number of Terminals	3	Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max	150 °C	Polarity/Channel Type	P-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs)	44 W	Pulsed Drain Current-Max (IDM)	48 A
Qualification Status	Not Qualified	Surface Mount	NO
Terminal Finish	MATTE TIN	Terminal Form	THROUGH-HOLE
Terminal Position	SINGLE	Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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