Bezahlverfahren
IXYA20N120A4HV +BOM
IGBT Transistors IGBT XPT-GENX4
TO-263HV-
Hersteller:
-
Herstellerteil #:
IXYA20N120A4HV
-
Datenblatt:
-
Paket/Koffer:
TO-263HV
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Produktart:
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Lebenszyklus:
Active
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EDA/CAD Modelle:
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Verfügbarkeit: 5214 Stck
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IXYA20N120A4HV Allgemeine Beschreibung
Utilizing XPT™ thin-wafer technology and 4th generation (GenX4™) Trench IGBT process, these up to 1200V devices helps to reduced gate driver requirements and conduction losses. It features reduced thermal resistance, low losses, high current densities and low gate charge requirement. A positive collector-to-emitter voltage temperature coefficient enables designers to use multiple devices in parallel.
Hauptmerkmale
- Low on-state voltages Vcesat
- Positive thermal coefficient of Vcesat
- International standard packages
Anwendung
- Battery chargers
- Lamp ballasts
- Power inverters
- Uninterruptible power supplies (UPS)
- Welding machines
- Advantages:
- Ideal for high power density and high inrush currents, low loss applications
- Hard-switching capable
- Easy paralleling of devices
- Reduced gate driver requirements
- Ease of replacement and availability of isolation package
Servicerichtlinien und andere
After-Sales- und Abwicklungsbezogen
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AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..
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In Stock: 5.214
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