Bezahlverfahren
IXYH20N65C3 +BOM
IGBT PT 650 V 50 A 230 W Through Hole TO-247 (IXTH)
TO-247-3-
Hersteller:
-
Herstellerteil #:
IXYH20N65C3
-
Datenblatt:
-
Technology:
Si
-
Mounting Style:
Through Hole
-
Configuration:
Single
-
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:
650 V
-
EDA/CAD Modelle:
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Verfügbarkeit: 7072 Stck
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IXYH20N65C3 Allgemeine Beschreibung
IGBT PT 650 V 50 A 230 W Through Hole TO-247 (IXTH)
Spezifikationen
Product Category | IGBT Transistors | Technology | Si |
Mounting Style | Through Hole | Configuration | Single |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 650 V | Collector-Emitter Saturation Voltage | 2.27 V |
Maximum Gate Emitter Voltage | - 20 V, 20 V | Continuous Collector Current at 25 C | 50 A |
Pd - Power Dissipation | 230 W | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature | + 175 C | Continuous Collector Current Ic Max | 105 A |
Gate-Emitter Leakage Current | 100 nA | Product Type | IGBT Transistors |
Factory Pack Quantity | 30 | Subcategory | IGBTs |
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In Stock: 7.072
Minimum Order: 1
Menge. | Einzelpreis | Ext. Preis |
---|---|---|
1+ | $7,710 | $7,71 |
210+ | $3,076 | $645,96 |
510+ | $2,973 | $1.516,23 |
990+ | $2,923 | $2.893,77 |
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