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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

IXYK110N120B4 +BOM

Fast switching frequency for reduced electromagnetic interference

Hersteller:

IXYS
Herstellerteil #:

IXYK110N120B4
Datenblatt:

IXYK110N120B4 Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

1.2 kV
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IXYK110N120B4

IXYK110N120B4 Allgemeine Beschreibung

Experience the next generation of power semiconductor technology with the IXYK110N120B4 lineup. Engineered with precision and quality in mind, these devices exhibit exceptional characteristics that set them apart from traditional IGBTs. From their state-of-the-art XPT™ thin-wafer technology to their high current densities and fast switching speeds, these IGBTs deliver unrivaled performance in various industrial applications

Hauptmerkmale

Fast rise time and high frequency response
Low power consumption and high efficiency
Suitable for harsh environment applications

Anwendung

Efficient power management for better results
Compact size for easy integration
Advanced technology for superior efficiency

Spezifikationen

Product Category	IGBT Transistors	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	1.2 kV	Collector-Emitter Saturation Voltage	2.1 V
Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, 20 V	Continuous Collector Current at 25 C	340 A
Pd - Power Dissipation	1.36 kW	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 175 C	Series	1200V XPTTM Gen 5
Continuous Collector Current Ic Max	340 A	Product Type	IGBT Transistors
Factory Pack Quantity	300	Subcategory	IGBTs
Tradename	XPT

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