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IXYN75N65C3D1 +BOM
IGBT 650 V 150 A 600 W Chassis Mount SOT-227B
SOT-227B-
Hersteller:
-
Herstellerteil #:
IXYN75N65C3D1
-
Datenblatt:
-
Technology:
Si
-
Mounting Style:
Screw Mounts
-
Configuration:
Single
-
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:
650 V
-
EDA/CAD Modelle:
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Verfügbarkeit: 7072 Stck
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IXYN75N65C3D1 Allgemeine Beschreibung
IGBT 650 V 150 A 600 W Chassis Mount SOT-227B
Spezifikationen
Product Category | IGBT Transistors | Technology | Si |
Mounting Style | Screw Mounts | Configuration | Single |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 650 V | Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.8 V |
Maximum Gate Emitter Voltage | - 20 V, 20 V | Continuous Collector Current at 25 C | 150 A |
Pd - Power Dissipation | 600 W | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature | + 175 C | Continuous Collector Current Ic Max | 360 A |
Gate-Emitter Leakage Current | 100 nA | Product Type | IGBT Transistors |
Factory Pack Quantity | 10 | Subcategory | IGBTs |
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In Stock: 7.072
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