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Siehe Technische Spezifikationen

IXYP10N65C3D1 +BOM

IGBT PT 650 V 30 A 160 W Through Hole TO-220

Hersteller:

IXYS
Herstellerteil #:

IXYP10N65C3D1
Datenblatt:

IXYP10N65C3D1 Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Maximum Gate Emitter Voltage:

- 20 V, 20 V
Series:

Planar
Factory Pack Quantity:

50
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IXYP10N65C3D1

IXYP10N65C3D1 Allgemeine Beschreibung

For high-frequency power switching requirements, look no further than the IXYP10N65C3D1 N-channel MOSFET transistor. With its superior performance characteristics and durable design, this transistor is a top choice for demanding applications in power electronics. Its innovative features, such as low on-state resistance and fast switching speed, make it ideal for achieving high efficiency and reliability in power inverters, motor control circuits, and more. Trust in the IXYP10N65C3D1 to deliver exceptional performance and meet your power switching needs with ease

Spezifikationen

Product Category	IGBT Transistors	Technology	Si
Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, 20 V	Series	Planar
Product Type	IGBT Transistors	Factory Pack Quantity	50
Subcategory	IGBTs	Tradename	XPT, GenX3

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