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Siehe Technische Spezifikationen

IXYX110N120C4 +BOM

High-Power Performance for Industrial Application

Hersteller:

IXYS
Herstellerteil #:

IXYX110N120C4
Datenblatt:

IXYX110N120C4 Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

1.2 kV

IXYX110N120C4 Allgemeine Beschreibung

When it comes to performance and reliability, the IXYX110N120C4 stands head and shoulders above the competition. Thanks to our innovative XPT™ technology and Trench IGBT process, these devices deliver fast switching speeds, low tail current, and enhanced thermal management. With a focus on reducing energy losses and optimizing current flow, these IGBTs are the go-to choice for demanding applications

Hauptmerkmale

Rapid turn-off time and low input capacitance
Safe operating area optimized for reliability
Low inductance and EMI reduced

Anwendung

Battery Chargers
Lamp Ballast
Motor Drives
Power Inverters
Welding Machines
Advantages:
Hard-switching capabilities
High power densities
Temperature stability of diode forward voltage VF
Low gate drive requirements

Spezifikationen

Product Category	IGBT Transistors	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	1.2 kV	Collector-Emitter Saturation Voltage	2.4 V
Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, 20 V	Continuous Collector Current at 25 C	310 A
Pd - Power Dissipation	1.36 kW	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 175 C	Series	1200V XPTTM Gen 7
Continuous Collector Current Ic Max	310 A	Product Type	IGBT Transistors
Factory Pack Quantity	30	Subcategory	IGBTs
Tradename	XPT

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