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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

KSA473YTSTUA +BOM

Description: PNP Epitaxial Silicon Transistor, Product KSA473YTSTUA

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

KSA473YTSTUA
Datenblatt:

KSA473YTSTUA Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

30 V
Collector- Base Voltage VCBO:

30 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an KSA473YTSTUA

KSA473YTSTUA Allgemeine Beschreibung

With its PNP Epitaxial Silicon construction, the KSA473YTSTUA transistor is engineered for excellence in amplifier and switching applications. The TO-92 package adds to its appeal by providing a practical and versatile housing for medium power usage. No matter the specific requirements of your project, this transistor is a valuable resource for achieving efficient and effective electronic performance

Hauptmerkmale

Collector-Emitter Off-State Current: I_CES-OFF= 0.1 μA
Base-Collector Saturation Voltage: V_BEC-SAT= 30V (I_B= 100μA)
Complementary to KSA11Y

Anwendung

This product is versatile and can be used in various settings.
Great for all your daily needs!
Perfect for any situation.

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	Through Hole
Transistor Polarity	PNP	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	30 V
Collector- Base Voltage VCBO	30 V	Emitter- Base Voltage VEBO	5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	300 mV	Pd - Power Dissipation	10 W
Gain Bandwidth Product fT	100 MHz	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	DC Current Gain hFE Max	240
Product Type	BJTs - Bipolar Transistors	Factory Pack Quantity	2000
Subcategory	Transistors	Technology	Si
Unit Weight	0.080072 oz

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