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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

KSC1008CYTA +BOM

NPN Epitaxial Silicon Transistor

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

KSC1008CYTA
Datenblatt:

KSC1008CYTA Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

NPN
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

60 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an KSC1008CYTA

Hauptmerkmale

High Frequency Response
Low Impedance Load
Stable Voltage Regulator
Smooth Power Delivery Expected
Quick Recovery Time Required
Secure Grounding Connection

Anwendung

Easy to use and durable
Highly recommended product
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Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	Through Hole
Transistor Polarity	NPN	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	60 V	Collector- Base Voltage VCBO	80 V
Emitter- Base Voltage VEBO	8 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	200 mV
Maximum DC Collector Current	700 mA	Pd - Power Dissipation	800 mW
Gain Bandwidth Product fT	50 MHz	Minimum Operating Temperature	-
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Series	KSC1008
Continuous Collector Current	700 mA	DC Collector/Base Gain hfe Min	40
DC Current Gain hFE Max	400	Height	4.7 mm
Length	4.7 mm	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity	2000	Subcategory	Transistors
Technology	Si	Width	3.93 mm
Part # Aliases	KSC1008CYTA_NL	Unit Weight	0.008466 oz

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