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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

KSC1009 +BOM

Powerful NPN bipolar junction transistor for demanding applications

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

KSC1009
Datenblatt:

KSC1009 Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

NPN
Continuous Collector Current:

700 mA
DC Collector/Base Gain Hfe Min:

40
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an KSC1009

Hauptmerkmale

Low Power Consumption
High Speed Operation
Rapid On-State Recovery
Silicon Germanium Construction
Reverse Voltage Blocking
Surge Immunity Enhancement

Anwendung

Stay organized with this essential tool.
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Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	Through Hole
Transistor Polarity	NPN	Series	KSC1009
Continuous Collector Current	700 mA	DC Collector/Base Gain hfe Min	40
DC Current Gain hFE Max	400	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors
Subcategory	Transistors	Technology	Si
Unit Weight	0.008466 oz

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