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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

KSC5502DTM +BOM

NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

KSC5502DTM
Datenblatt:

KSC5502DTM Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

NPN
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

600 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an KSC5502DTM

Hauptmerkmale

High Efficiency Power Transfer
Low Current Noise
Small Quiescent Current
Low Capacitance to Ground

Anwendung

Efficient and reliable product.
Suitable for multiple applications.
Convenient and saves time.

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	NPN	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	600 V	Collector- Base Voltage VCBO	1.2 kV
Emitter- Base Voltage VEBO	12 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	400 mV
Maximum DC Collector Current	2 A	Pd - Power Dissipation	87.83 W
Gain Bandwidth Product fT	11 MHz	Minimum Operating Temperature	-
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Series	KSC5502D
Continuous Collector Current	2 A	DC Collector/Base Gain hfe Min	14
Height	2.3 mm	Length	6.6 mm
Product Type	BJTs - Bipolar Transistors	Factory Pack Quantity	2500
Subcategory	Transistors	Technology	Si
Width	6.1 mm	Unit Weight	0.009184 oz

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