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KSC945YTA +BOM

NPN Epitaxial Silicon Transistor

Hauptmerkmale

  • RF Power Transistor Module
  • Amplifier Driver Circuit
  • High-Gain Buffer Amplifier

Anwendung

  • Perfect for all occasions!
  • Great for everyday use.
  • Designed for maximum versatility.

Spezifikationen

Source Content uid KSC945YTA Pbfree Code Yes
Part Life Cycle Code Active Reach Compliance Code compliant
ECCN Code EAR99 Factory Lead Time 30 Weeks
Collector Current-Max (IC) 0.15 A Collector-Emitter Voltage-Max 50 V
Configuration SINGLE DC Current Gain-Min (hFE) 120
JEDEC-95 Code TO-92 JESD-30 Code O-PBCY-T3
JESD-609 Code e3 Number of Elements 1
Number of Terminals 3 Operating Temperature-Max 150 °C
Polarity/Channel Type NPN Power Dissipation-Max (Abs) 0.25 W
Qualification Status Not Qualified Surface Mount NO
Terminal Finish MATTE TIN Terminal Form THROUGH-HOLE
Terminal Position BOTTOM Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Element Material SILICON Transition Frequency-Nom (fT) 300 MHz

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..

Garantie Garantie

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