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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

KSD1692YS +BOM

NPN Silicon Darlington Transistor

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

KSD1692YS
Datenblatt:

KSD1692YS Datenblatt (PDF)
REACH:

Details
Configuration:

Single
Transistor Polarity:

NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

100 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an KSD1692YS

Hauptmerkmale

High DC Current Gain
Low Collector Saturation Voltage
Built-in a Damper Diode at E-C
High Power Dissipation: P_C= 1.3 W (Ta=25°C)

Anwendung

This product is general usage and suitable for many different applications.

Spezifikationen

Product Category	Darlington Transistors	REACH	Details
Configuration	Single	Transistor Polarity	NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	100 V	Emitter- Base Voltage VEBO	8 V
Collector- Base Voltage VCBO	150 V	Maximum DC Collector Current	3 A
Maximum Collector Cut-off Current	10 uA	Pd - Power Dissipation	15 W
Mounting Style	Through Hole	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Series	KSD1692
Continuous Collector Current	3 A	DC Collector/Base Gain hfe Min	4000
Height	11 mm	Length	8 mm
Product Type	Darlington Transistors	Factory Pack Quantity	2000
Subcategory	Transistors	Width	3.25 mm
Unit Weight	0.026843 oz

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