Bezahlverfahren
KSD288W +BOM
Trans GP BJT NPN 55V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220
TO-220-3-
Hersteller:
onsemi
-
Herstellerteil #:
KSD288W
-
Datenblatt:
-
Transistor Type:
NPN
-
Current - Collector (Ic) (Max):
3 A
-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):
55 V
-
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:
1V @ 100mA, 1A
-
EDA/CAD Modelle:
All bill of materials (BOM) can be sent via email to [email protected], or fill below form to Quote for KSD288W, guaranteed quotes back within 12hr.
Verfügbarkeit: 9576 Stck
Bitte füllen Sie das kurze Formular unten aus und wir werden Ihnen umgehend ein Angebot zukommen lassen..
KSD288W Allgemeine Beschreibung
Bipolar (BJT) Transistor NPN 55 V 3 A 25 W Through Hole TO-220-3
Spezifikationen
Series | - | Transistor Type | NPN |
Current - Collector (Ic) (Max) | 3 A | Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 55 V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 100mA, 1A | Current - Collector Cutoff (Max) | 50µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 500mA, 5V | Power - Max | 25 W |
Frequency - Transition | - | Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Mounting Type | Through Hole | Base Product Number | KSD288 |
Servicerichtlinien und andere
After-Sales- und Abwicklungsbezogen
Für alternative Zahlungskanäle kontaktieren Sie uns bitte unter:
[email protected]Versandart
AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..
365-Tage-Produkt
Qualitätsgarantie
Wir versprechen, 365 Tage Qualitätssicherung für alle unsere Produkte zu bieten.
In Stock: 9.576
Minimum Order: 1
Menge. | Einzelpreis | Ext. Preis |
---|---|---|
1+ | - | - |
Die unten angegebenen Preise dienen nur als Referenz.
Empfohlene Produkte
Top Sellers
-
2N2222
Stmicroelectronics
1000+ $0,587
-
BC547
Onsemi
NPN Epitaxial Silicon Transistor
-
ULN2003
Onsemi
Versatile device for driving heavy loads and motor
-
IRF3205
Infineon
TO-220AB Tube Power Transistor with N-Channel Silicon
-
TAN15
Microchip
The TAN is a robust NPN transistor designed for high-frequency applications, capable of operating at up to V and continuous curren