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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

KSD5041QTA +BOM

NPN Epitaxial Silicon Transistor

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

KSD5041QTA
Datenblatt:

KSD5041QTA Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

NPN
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

20 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an KSD5041QTA

Hauptmerkmale

Low Collector-Emitter Saturation Voltage
High Performance at Low Supply VoltageAf Output Amplifier for Electronic Flash Unit

Anwendung

This product is general usage and suitable for many different applications.

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	Through Hole
Transistor Polarity	NPN	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	20 V	Collector- Base Voltage VCBO	40 V
Emitter- Base Voltage VEBO	7 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	1 V
Maximum DC Collector Current	5 A	Pd - Power Dissipation	750 mW
Gain Bandwidth Product fT	150 MHz	Minimum Operating Temperature	-
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Series	KSD5041
Continuous Collector Current	5 A	DC Collector/Base Gain hfe Min	180
DC Current Gain hFE Max	600	Height	4.7 mm
Length	4.7 mm	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity	2000	Subcategory	Transistors
Technology	Si	Width	3.93 mm
Unit Weight	0.008466 oz

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