Bezahlverfahren
KSD880OPATU +BOM
Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 3 A 3MHz 30 W Through Hole TO-220-3
TO-220-3-
Hersteller:
onsemi
-
Herstellerteil #:
KSD880OPATU
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Datenblatt:
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Transistor Type:
NPN
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Current - Collector (Ic) (Max):
3 A
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):
60 V
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Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:
1V @ 300mA, 3A
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EDA/CAD Modelle:
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Verfügbarkeit: 7117 Stck
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KSD880OPATU Allgemeine Beschreibung
Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 3 A 3MHz 30 W Through Hole TO-220-3
Spezifikationen
Series | - | Transistor Type | NPN |
Current - Collector (Ic) (Max) | 3 A | Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 300mA, 3A | Current - Collector Cutoff (Max) | 100µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 500mA, 5V | Power - Max | 30 W |
Frequency - Transition | 3MHz | Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Mounting Type | Through Hole | Base Product Number | KSD880 |
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