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Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 600 mA 200MHz 625 mW Through Hole TO-92-3
TO-92-3 LFHersteller:
onsemi
Herstellerteil #:
KSP2907ATA
Datenblatt:
Mounting Style:
Through Hole
Transistor Polarity:
PNP
Configuration:
Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:
60 V
EDA/CAD Modelle:
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Housed in a convenient TO-92 package, the KSP2907ATA is easy to use in different circuits. It offers low noise and high linearity, making it particularly well-suited for audio amplification and signal processing applications. Additionally, the transistor features a low saturation voltage, making it ideal for switching applications where a low voltage drop is desired
Product Category | Bipolar Transistors - BJT | Mounting Style | Through Hole |
Transistor Polarity | PNP | Configuration | Single |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 60 V | Collector- Base Voltage VCBO | 60 V |
Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V | Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.6 V |
Maximum DC Collector Current | 600 mA | Pd - Power Dissipation | 625 mW |
Gain Bandwidth Product fT | 200 MHz | Minimum Operating Temperature | - |
Maximum Operating Temperature | + 150 C | Series | KSP2907A |
Continuous Collector Current | - 600 mA | DC Current Gain hFE Max | 300 |
Height | 4.7 mm | Length | 4.7 mm |
Product Type | BJTs - Bipolar Transistors | Factory Pack Quantity | 2000 |
Subcategory | Transistors | Technology | Si |
Width | 3.93 mm | Part # Aliases | KSP2907ATA_NL |
Unit Weight | 0.008466 oz |
After-Sales- und Abwicklungsbezogen
Bezahlverfahren
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Qualitätsgarantie
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Menge. | Einzelpreis | Ext. Preis |
---|---|---|
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