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Siehe Technische Spezifikationen

KSP45 +BOM

Bipolar Transistors - BJT NPN/400V/0.3A/50-200

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

KSP45
Datenblatt:

KSP45 Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

NPN
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

350 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an KSP45

Hauptmerkmale

High-Gain Transistor
Low-Noise Amplifier
Silicon-Based Device
Advanced Power Module
Fast-Switching FET
High-Speed Driver IC

Anwendung

Works for a variety of tasks.
Essential for everyday use.
Suitable for all occasions.

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	Through Hole
Transistor Polarity	NPN	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	350 V	Collector- Base Voltage VCBO	400 V
Emitter- Base Voltage VEBO	6 V	Maximum DC Collector Current	300 mA
Pd - Power Dissipation	625 mW	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Series	KSP4	Continuous Collector Current	300 mA
DC Collector/Base Gain hfe Min	50	DC Current Gain hFE Max	200
Height	4.58 mm	Length	4.58 mm
Product Type	BJTs - Bipolar Transistors	Subcategory	Transistors
Technology	Si	Width	3.86 mm
Unit Weight	0.008466 oz

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