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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

KSP92 +BOM

High-power silicon transistor for demanding application

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

KSP92
Datenblatt:

KSP92 Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

PNP
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

300 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an KSP92

Anwendung

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Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	Through Hole
Transistor Polarity	PNP	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	300 V	Collector- Base Voltage VCBO	300 V
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V	Maximum DC Collector Current	500 mA
Pd - Power Dissipation	625 mW	Gain Bandwidth Product fT	50 MHz
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Series	KSP92	Continuous Collector Current	500 mA
DC Collector/Base Gain hfe Min	40	Height	4.58 mm
Length	4.58 mm	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity	10000	Subcategory	Transistors
Technology	Si	Width	3.86 mm
Unit Weight	0.008466 oz

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