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A current handling capability
211-07-3Hersteller:
Herstellerteil #:
MRF137
Datenblatt:
Transistor Polarity:
N-Channel
Technology:
Si
Id - Continuous Drain Current:
5 A
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:
65 V
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Designed with a maximum collector-emitter voltage of 65 volts and a maximum collector current of 8 amperes, the MRF137 is built to handle high levels of RF power with ease. Its input and output impedance of 50 ohms ensure seamless integration into RF applications that demand a 50-ohm impedance matching network for optimal performance
Product Category | RF MOSFET Transistors | Transistor Polarity | N-Channel |
Technology | Si | Id - Continuous Drain Current | 5 A |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 65 V | Operating Frequency | 400 MHz |
Gain | 13 dB | Output Power | 30 W |
Minimum Operating Temperature | - 65 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
Mounting Style | SMD/SMT | Configuration | Single |
Pd - Power Dissipation | 100 W | Product Type | RF MOSFET Transistors |
Factory Pack Quantity | 20 | Subcategory | MOSFETs |
Vgs - Gate-Source Voltage | 40 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3 V |
Unit Weight | 0.426383 oz |
After-Sales- und Abwicklungsbezogen
Bezahlverfahren
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365-Tage-Produkt
Qualitätsgarantie
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Menge. | Einzelpreis | Ext. Preis |
---|---|---|
1+ | - | - |
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MRF421
MACOM Technology Solutions
1000+ $111,105
MRF317
MACOM Technology Solutions
1000+ $97,947
MRF422
MACOM Technology Solutions
RF Bipolar Transistors 2-30MHz 150Watts 28Volt Gain 10dB
MRF454
MACOM Technology Solutions
RF Bipolar Transistors 2-30MHz 80Watts 12.5Volt Gain 12dB
MRF151
Macom
Reliable performance in high-power RF transmission systems ( character
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