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Siehe Technische Spezifikationen

MRF587 +BOM

Robust device with A current rating and A maximum voltage ( character

Hersteller:

Advanced Semiconductor, Inc.
Herstellerteil #:

MRF587
Datenblatt:

MRF587 Datenblatt (PDF)
Transistor Type:

Bipolar Power
Technology:

Si
Transistor Polarity:

NPN
Operating Frequency:

500 MHz

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

MRF587 Allgemeine Beschreibung

RF Transistor NPN 17V 200mA 5.5GHz Stud Mount 244A-01, STYLE 1

Hauptmerkmale

Low Noise Figure: NF = 3.0 dB (typ.) @ f = 500 MHz, IC = 90 mA
Low Intermodulation Distortion: TB3 = –70 dB, DIN = 125 dB µV
High Power Gain: GU(max) = 16.5 dB (typ.) @ f = 500 MHz
All Gold Metal System
Ion Implanted
High fT — 5.5 GHz
Nichrome Emitter Ballast Resistors
Aerospace and Defense
ISM

Anwendung

Min Frequency: 100 MHz
Max Frequency: 500 MHz
Pout: 0.17 W
Gain: 11 dB
Efficiency: 12 %
Bias Voltage: 15 V

Spezifikationen

Product Category	RF Bipolar Transistors	Transistor Type	Bipolar Power
Technology	Si	Transistor Polarity	NPN
Operating Frequency	500 MHz	DC Collector/Base Gain hfe Min	50
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	17 V	Emitter- Base Voltage VEBO	2.5 V
Continuous Collector Current	200 mA	Minimum Operating Temperature	- 65 C
Maximum Operating Temperature	+ 200 C	Mounting Style	Through Hole
Pd - Power Dissipation	5 W	Product Type	RF Bipolar Transistors
Subcategory	Transistors	Type	RF Bipolar Power
Unit Weight	0.429323 oz

Servicerichtlinien und andere

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