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Siehe Technische Spezifikationen

NGTB40N120FL2WG +BOM

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 652W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Hersteller:

ON Semiconductor, LLC
Herstellerteil #:

NGTB40N120FL2WG
Datenblatt:

NGTB40N120FL2WG Datenblatt (PDF)
IGBT Type:

Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

1200 V
Current - Collector (Ic) (Max):

80 A
Current - Collector Pulsed (Icm):

200 A
EDA/CAD Modelle:

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NGTB40N120FL2WG Allgemeine Beschreibung

This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust andcost effective Field Stop II Trench construction, and provides superiorperformance in demanding switching applications, offering both lowon state voltage and minimal switching loss. The IGBT is well suitedfor UPS and solar applications. Incorporated into the device is a softand fast co?packaged free wheeling diode with a low forward voltage.

Hauptmerkmale

Extremely Efficient Trench with Field Stop Technology
TJmax = 175°C
Soft Fast Reverse Recovery Diode
Optimized for High Speed Switching
10 μs Short Circuit Capability

Anwendung

Solar Inverter
Uninterruptible Power Inverter Supplies (UPS)
Welding

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsIGBTsSingle IGBTs	Series	-
IGBT Type	Trench Field Stop	Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)	80 A	Current - Collector Pulsed (Icm)	200 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.4V @ 15V, 40A	Power - Max	535 W
Switching Energy	3.4mJ (on), 1.1mJ (off)	Input Type	Standard
Gate Charge	313 nC	Td (on/off) @ 25°C	116ns/286ns
Test Condition	600V, 40A, 10Ohm, 15V	Reverse Recovery Time (trr)	240 ns
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	Mounting Type	Through Hole
Base Product Number	NGTB40

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